有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。A、多数载流子B、少数载流子C、填充因子D、电子空穴对
由于大多数化合物半导体的能带结构都是（），因此不像间接跃迁的Si那样容易产生太阳能电池特性的放射线（）现象。
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
评价太阳能电池性能的优劣的参数是（）。A、少数载流子B、多数载流子C、填充因子D、空穴对
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
主要半导体材料是（）和（）；两种载流子是（）和（）；两种杂质半导体是（）和（）。
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果
填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
问答题半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
填空题反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。