电子器件所用的半导体具有晶体结构因此把半导体也称为晶体。() 此题为判断题(对，错)。
下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
过渡金属氧化物的能带结构有什么特点？如何提高n型或p型半导体的导电性能？
紫外吸收光谱和可见吸收光谱同属电子光谱，都是由于价电子跃迁而产生的。
由于电子从基态到第一激发态的跃迁最容易发生，对大多数元素来说，共振吸收线就是最灵敏线。因此，元素的共振线又叫分析线。
某化合物的相对分子质量Mr=72，红外光谱指出，该化合物含羰基，则该化合物可能的分子式为（）。A、分子外层电子、振动、转动能级的跃迁B、原子外层电子、振动、转动能级的跃迁C、分子振动-转动能级的跃迁D、分子外层电子的能级跃迁
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
半导体锗和硅都是晶体结构，所以半导体管又称为晶体管。
按照能带结构理论，本征半导体的能带可以分为（）个。A、1B、2C、3D、4
产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
几乎所有的III-v族化合物半导体都是（）能带结构，具有（），光吸收系数很大，对薄膜太阳能电池是有用的。
非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？
电子跃迁有哪几种类型？跃迁所需的能量大小顺序如何？具有什么样结构的化合物产生紫外吸收光谱？紫外吸收光谱有何特征？
填空题半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
判断题杂质吸收与激子吸收相同，都导致电子在能带与能带之间跃迁。A对B错
判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A对B错
判断题导体、半导体、绝缘体的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。A对B错
单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
问答题电子跃迁有哪几种类型？跃迁所需的能量大小顺序如何？具有什么样结构的化合物产生紫外吸收光谱？紫外吸收光谱有何特征？
问答题（1）铁氧体按结构分有哪六种主要结构？ （2）半导体激光器中，与激光辐射相关的三个能级跃迁过程是什么？
问答题半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别？
判断题单质半导体和二元化合物半导体的主要晶体结构类型为金刚石型结构和闪锌矿型结构。A对B错
问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响？