在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
N沟道场效应管由N型半导体组成() 此题为判断题(对，错)。
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A、可调电阻区B、饱和区C、击穿区D、负阻区
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的（）A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区
一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（）。A、可变电阻（欧姆）区B、截止区C、饱和区
结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被（）的工作区。
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
单选题在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A可调电阻区B饱和区C击穿区D负阻区