N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。A、正值B、负值C、零

N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

  • A、正值
  • B、负值
  • C、零

相关考题:

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

运行以下程序后,输出结果为_____________。 Private Sub Command1_Click() a=1:b=2:c=3 Call test(a,b+3,(c)) Print "main:";a;b;c End Sub Private Function test(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print "sub:";p;m;n End Function:A. sub:2 6 4 main:1 2 3B. sub:2 6 4 main:2 2 3C. sub:2 6 4 main:2 6 4D. sub:2 6 4 main:1 6 4

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对,错)。

设程序中有如下数组定义和过程调用语句: Dim a(10)As Integer … Call D(a) 如下过程定义巾,正确的是( )。A.Private Sub p(a As Integer)B.Private Sub p(a( )As Integer)C.Private Sub p(a(10)As Integer)D.Private Sub p(a(n)As Integer)

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

在窗体中添加一个命令按钮,编写如下程序: Private Sub Subl(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print"subl:";p;m;n End Sub Private Sub Command1_Click() al=1:b=2:c1=3 Call Subl(a,b1+3,c1) Print"Main:";a1;b1;c1 End Sub 程序运行后,输出结果为A.Sub:2 6 4 Main:2 6 4B.Sub:2 6 4 Main:2 6 4C.Sub:2 6 4 Main:1 2 3D.Sub:2 6 4 Main:2 2 3

设程序中有如下数组定义和过程调用语句:Dim a(10) as integer……Call p(a)如下过程定义中,正确的是A)Private Sub p(a as integer)B)Private Sub p(a() as integer)C)Private Sub p(a(10) as integer)D)Private Sub p(a(n) as integer)

在窗体中添加一个命令按钮,编写如下程序: Private Sub Test(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print "Sub: ";p;m;n End Sub Private Sub Command1.Click() a1=1:b=2:c1=3 Call Test((a,b1+3,(c1)) Print "Main:";a1;b1;c1 End Sub 程序运行后,输出结果为A.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4B.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4C.Sub: 2 6 4 Main: 1 2 3D.Sub: 2 6 4 Main: 2 2 3

当发生Form_Click事件时,下列程序的输出结果是( )。 Private m As Integer,n As Integer Private Sub Form_Click() Dim k As Integer,p As Integer k=6:p=60 Call sub1(k,p) Print m,n,m,k,p Call sub1(k,p) Print m,n,k,p End Sub Private Sub Form_Load() m=7 n=70 End Sub Public Sub sub1(x As Integer,ByVal y As Integer) Dim m As Integer n=n+5 m=n+x+y x=x+y y=x+y End SubA.7 75 66 60 7 80 126 60B.7 75 66 60 7 75 126 60C.7 75 66 60 7 80 66 60D.7 75 66 60 7 75 66 60

在窗体中添加一个命令按钮,编写如下程序:Private Sub Sub1(p,m,n)p=p+1:m=m+1:n=n+1Print "sub1:";p;m;nEnd SubPrivate Sub Command1_Click()a1=1:b=2:c1=3Call Sub1(a,b1+3,c1)Print"Main:";a1;b1;c1End Sub程序运行后,输出结果为A.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4B.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4C.Sub: 2 6 4 Main: 1 2 3D.Sub: 2 6 4 Main: 2 2 3

在窗体中添加一个命令按钮,编写如下程序: Private Sub Sub1(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print "sub1:";p;m;n End Sub Private Sub Command1_Click() a1=1:b=2:c1=3 Call Sub1(a,b1+3,c1) Print"Main:";a1;b1;c1 End Sub 程序运行后,输出结果为A.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4B.Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4C.Sub: 2 6 4 Main: 1 2 3D.Sub: 2 6 4 Main: 2 2 3

结型场效应管可分为()。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型

绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种

一个N沟道结型场效应管工作时,测得UDS=6V,ID=3mA,UGS=-1V,问此管工作在什么区域()A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管

()具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

N沟道结型场效应管中的载流子是()A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为()。A、正值B、负值C、零

更具结构不同,场效应管分为()A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管

单选题酶促反应速度(v)达到最大反应速度(Vmax)的80%时,底物浓度[S]为Ap1Ksubm/sub/pBp2Ksubm/sub/pCp3Ksubm/sub/pDp4Ksubm/sub/pEp5Ksubm/sub/p

单选题结型场效应管可分为()。AMOS管和MNS管BN沟道和P沟道C增强型和耗尽型DNPN型和PNP型