金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持()A、1~2分钟B、3~5分钟C、5~10分钟D、10~12分钟E、12~15分钟

金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持()

  • A、1~2分钟
  • B、3~5分钟
  • C、5~10分钟
  • D、10~12分钟
  • E、12~15分钟

相关考题:

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后,以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

金属烤瓷冠桥修复中,除气、预氧化的目的是A、增强金-瓷的结合强度B、增强基底冠的强度C、增加基底冠的厚度D、利于遮色瓷的涂塑E、增强瓷冠的光泽度

在金-瓷冠桥修复体中,若金-瓷热膨胀系数不匹配,会造成A、烤瓷冠颜色改变B、烤瓷冠强度减弱C、金属基底冠增强D、瓷裂和瓷崩E、瓷层减薄

金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1~2分钟B、3~5分钟C、5~10分钟D、10~12分钟E、12~15分钟

增强金合金瓷金结合的方法中错误的是A.喷砂基底冠B.预氧化C.超声清洗D.电解蚀刻E.除气

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50~100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上,再加热至预定的终点温度,在非真空下继续维持A、18~20minB、15~17minC、11~13minD、5~10minE、2~4min

金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持A.0.5~1.0minB.1~3minC.5~10minD.20~30minE.30min以上

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是()。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜

单选题烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上,再加热至预定的终点温度,在非真空下继续维持(  )。A18~20minB15~17minC11~13minD5~10minE2~4min

单选题金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持()A1~2分钟B3~5分钟C5~10分钟D10~12分钟E12~15分钟

单选题非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为(  )。A1minB2minC3minD4minE5min

单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后,以下哪一操作步骤是不正确的?(  )A用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物B用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面

单选题金属烤瓷冠桥修复中,除气、预氧化的目的是(  )。A增强金-瓷的结合强度B增强基底冠的强度C增加基底冠的厚度D利于遮色瓷的涂塑E增强瓷冠的光泽度