单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况A一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D上下铁芯支架

单选题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况
A

一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地

B

处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地

C

处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间

D

上下铁芯支架


参考解析

解析: 暂无解析

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绝缘电阻表上的各个接线端子连接方法是()。 A.接线端子“E”接被试品的接地端,常为正极性B.接线端子“L”接被试品高压端,常为负极性C.接线端子“G”接屏蔽端D.接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接E.接线端子“E”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接

在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要反映()A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态,即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态

在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。

绝缘电阻表上的各个接线端子连接方法是()。A、接线端子“E”接被试品的接地端,常为正极性B、接线端子“L”接被试品高压端,常为负极性C、接线端子“G”接屏蔽端D、接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接E、接线端子“E”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接

用绝缘电阻表测量绝缘电阻时,应按()正确接线后,才能进行测量。A、接线端子“E”接被试品的接地端,常为正极性B、接线端子“E”接被试品的高压端C、接线端子“G”接屏蔽端D、接线端子“G”接试品的接地端E、接线端子“L”与被试品之间应采用相应绝缘强度的屏蔽线和绝缘棒作连接F、接线端子“L”接被试品高压端,常为负极性

西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场

测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是

在相同条件下,用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

S1电桥正接线适合于被试品()。

用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架

现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时,适用的方法不包括()。A、反接屏蔽法B、正接法C、自激法D、末端加压法

采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。

用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ,首端A开路,Cx接二次x、xD。

在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线;电桥按正接线方式工作。

进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有()。A、常规法B、正接法C、末端屏蔽法D、末端加压法

单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映()的绝缘状况A一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B处于下铁芯下芯柱的1/4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D上下铁芯支架

单选题测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()A对地绝缘B短接C开路D短接后接地或屏蔽

单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时,在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下,其测得值主要反映的是()的绝缘状况A一次绕组对二次绕组及地B处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组对二次绕组之间C铁芯支架D处于铁芯下芯柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间

判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。A对B错

单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用正接法()。A需要试品两端对地绝缘B试品设在低压端C适用于现场试验D需要注意操作人员安全

判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错