判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。A对B错

判断题
用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。
A

对

B

错

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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
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电压互感器的铁心和二次侧绕组的一端必须可靠接地，以防止高压绕组绝缘损坏时，铁心和二次侧绕组上带高压而造成事故。
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用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。
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这些焊接在一起的铜条和铜圆环就是（）A、鼠笼式电机转子的短接绕组B、绕线式电机转子的短接绕组C、鼠笼式电机转子的短接绕组，这和定子绕组不同D、鼠笼式和绕线式电机转子的短接绕组
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测量变压器绕组绝缘的tgδ时，非被试绕组应（）A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽
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测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时，其所属绕组的三相线端与中性点（有中性点引出者）必须短接一起加压，其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
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用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架
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电压互感器进行励磁特性和励磁曲线试验时，一次绕组、二次绕组及辅助绕组均（），非加压绕组同名端接地，铁芯及外壳接地。A、短路B、开路C、短接后接地D、接地
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。A、常规法（短路法）B、激磁法C、间接法D、末端加压法
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用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作
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500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。A、反接屏蔽法B、正接法C、自激法D、末端加压法
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ，首端A开路，Cx接二次x、xD。
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用电流法测量电压互感器一、二次之间极性，电池的正极接一次绕组A端，负极接一次绕组的N端，电流表的正极接在二次绕组的n端，接通开关的瞬间，电流表指针向顺时针方向摆动即为减极性。（）
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串级式PTtgδ测量时，常规法要二、三次线圈短接，而自激法、末端屏蔽法、末端加压法却不许短接，为什么？
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测量变压器绕组绝缘电阻时，非被试绕组应（）。A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽
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进行电磁式电压互感器空载电流测量时，应当（）。A、在二次绕组施加电压B、在一次绕组施加电压C、未施加电压的其它二次绕组n端单端接地D、未施加电压的其它二次绕组应a、n双端接地
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