单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况A一次绕组对二次绕组及地B处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间C铁芯支架D处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
单选题
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况
A
一次绕组对二次绕组及地
B
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间
C
铁芯支架
D
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
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解析：
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判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错