用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架

用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况

  • A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
  • B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地
  • C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间
  • D、上下铁芯支架

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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
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在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
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试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
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在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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采用（）的方法能消除tgδ测量的磁场干扰。A、屏蔽试品B、电源倒相C、电源移相D、电桥远离干扰源或在原地转动
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。A、常规法（短路法）B、激磁法C、间接法D、末端加压法
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500kV电容式电压互感器不拆高压引线测量tgδ时，适用的方法不包括（）。A、反接屏蔽法B、正接法C、自激法D、末端加压法
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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用末端加压法测量110kV串极式电压互感器的tgδ，首端A开路，Cx接二次x、xD。
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现场测量500kV双断口断路器的并联电容器tgδ时，宜采用（）。A、反接屏蔽法B、正接法C、反接法D、末端加压法
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为消除被试品表面吸潮、脏污对测量的影响可采取的措施是（）。A、用干燥的毛巾或加入酒精、丙酮等对被试品表面擦拭B、在被试品表面涂上一圈硅油C、采用屏蔽线使表面泄漏电流通过屏蔽线不流人测量仪表D、用电吹风干燥试品表面
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在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
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测量110kV干式电流互感器tgδ时，适宜采（）。A、反接屏蔽法B、正接法C、反接法D、末端加压法
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串级式PTtgδ测量时，常规法要二、三次线圈短接，而自激法、末端屏蔽法、末端加压法却不许短接，为什么？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法
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用不拆高压引线方式测量220kV电容式电压互感器介损及电容量，操作正确的是（）。A、用反接屏蔽法测量电容分压器上节B、用正接法测量电容分压器上节C、用自激法测量电容分压器中、下节D、用反接法测量电容分压器中、下节
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测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？
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用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线；电桥按正接线方式工作。
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进行串级式电压互感器介损测量的方法主要有（）。A、常规法B、正接法C、末端屏蔽法D、末端加压法
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串级式电压互感器是指将（）绕组分为几个单元串联而成，目前使用的220KV串级式电压互感器一般分为（）单元。
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单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D上下铁芯支架
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单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况A一次绕组对二次绕组及地B处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间C铁芯支架D处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
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判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。A对B错
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