APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
雪崩二极管中，由于碰撞雪崩电离效应，使得管内雪崩电流Ia的峰值滞后了外电路交变电压Vac的峰值（）度，这就是雪崩区的延时。A．90B．大于90C．180D．渡越角的1/2
DES算法的核心是置换、扩充、选择、交换等非线性操作，目的是实现雪崩效应。
金属半导体接触形成欧姆接触的主要机理是（）。A．整流效应B．雪崩效应C．隧道效应D．以上都不对
17、PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。