简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。

简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。

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光电二极管(PIN)具有雪崩效应。 A．错误B．正确
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雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。
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PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0
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雪崩光电二极管噪声主要来源于倍增噪声。A对B错
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简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
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雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
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雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
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外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管
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雪崩光电二极管的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加（)电压（一般为几十伏或几百伏）在结区形成一个强电场.
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