单选题关于突触前抑制的正确描述是（）A突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B突触前膜超极化，释放抑制性递质C突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D突触前膜去极化，释放抑制性递质
单选题
关于突触前抑制的正确描述是（）
A
突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位
B
突触前膜超极化，释放抑制性递质
C
突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少
D
突触前膜去极化，释放抑制性递质
参考解析
解析：
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下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于突触后抑制正确的叙述有（）A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C、突触后膜产生IPSPD、突触后膜产生EPSPE、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
多选题关于突触后抑制正确的叙述有（）A可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C突触后膜产生IPSPD突触后膜产生EPSPE一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A结构基础与突触前抑制不同B到达突触前末梢的动作电位频率高C有多个兴奋同时到达突触前末梢D进人突触前末梢内Ca2+增多E突触后膜有多个EPSP发生总和