判断题接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。A对B错

判断题
接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
A

B


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可控硅是具有()个PN结的四层半导体器件。 A、三B、四C、五

可控硅是一个四层( )的硅半导体器件,通常用符号SCR表示。A.一端B.二端C.三端D.四端

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

生物芯片又称蛋白芯片或基因芯片,是指通过缩微技术、将( )材料集成于硅芯片或玻璃芯片表面的微型生物化学分析系统。A、生物B、电子C、基因

可控硅是由一个四层()的硅半导体器件,通常用符号SCR表示。A、一端B、二端C、三端D、四端

为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足()。A、低电阻率B、易与p或n型硅形成欧姆接触C、可与硅或二氧化硅反应D、易于光刻E、便于进行键合

当元器件为金属外壳同时安装面又有印制导线时,下列选项中不能加在元器件与印制板之间的是()。A、青稞纸B、绝缘套管C、胶木板D、导热硅

对于硅胶而言,其表面的硅羟基是进行化学修饰的基础,硅胶表面的硅羟基的主要存在形式是()A、硅三羟基;B、硅二羟基;C、邻位硅羟基;D、单硅羟基;

跳线指()A、不带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤,用于配线设备之间进行连接B、带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤,用于配线设备之间进行连接C、不带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤,用于配线设备之间进行连接D、带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤,用于配线设备之间进行连接

下列()是硅还原的特点?A、硅在炉腰或炉腹上部开始还原B、铁中含硅量是最终铁含硅量的2.34-3.87倍C、硅在炉腹中部还原量最大D、硅在滴落带内被大量还原

地壳的陆壳分为()和硅镁层。A、硅铁层B、硅钾层C、硅铝层D、硅钠层

可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。()

陆壳特征是厚度较大(30~70km)具双层结构,即在玄武岩之上有花岗岩,总体来看是硅铝层浮在()之上。A、硅铁层B、硅钙层C、硅镁层D、硅钠层

集成电路的主要制造流程是()A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

地球内圈有一些重要不连续面(或间断面),其中地壳与地幔之间的叫();地壳硅铝层与硅镁层之间的叫();地幔与地核之间的叫();内、外地核之间的叫()。

在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离

以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅

康德面是硅铝层与硅镁层的分界面。

关于地壳的叙述正确的是()A、地壳是岩石圈的重要组成部分B、地壳分为上下两层,上层为硅镁层,下层为硅铝层。C、硅镁层是一个不连续的圈层D、硅铝层在大陆、大洋地壳中普遍存在

单选题速发型硅沉着病是指从事矽尘作业多长时间出现的硅沉着病(  )。A接触矽尘半年后才出现的硅沉着病B接触矽尘5年以后出现的硅沉着病C接触矽尘5年以后出现的硅沉着病D脱离矽尘作业1~2年后才发现的硅沉着病E以上都不是

单选题地壳的陆壳分为()和硅镁层。A硅铁层B硅钾层C硅铝层D硅钠层

单选题新的地球物理学说认为,地球漂移的层面是()。A硅铝和硅镁层之间B海洋与陆地接触层C盆地与山脉接触层D岩石圈

单选题集成电路的主要制造流程是()A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

判断题在集成电路版图设计中,器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的,如有源区的引出,多晶硅电阻的联接。A对B错

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单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时,要计算每个电容的容值,那么电容的面积大小是怎样计算的?()A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积

单选题对于硅胶而言,其表面的硅羟基是进行化学修饰的基础,硅胶表面的硅羟基的主要存在形式是()A硅三羟基;B硅二羟基;C邻位硅羟基;D单硅羟基;