电子枪由组成A、阴极、阳极B、阴极、栅极C、阳极、栅极D、阴极、阳极、栅极E、正极、负极、栅极
SP100－C3型高频设备接通电源加热后阳极电流为零,这种情况多半是()的问题。 A.栅极电路B.阳极槽路电容器C.栅极电路上旁路电容器D.栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方
为了使栅极驱动电路与信号电路隔离,应采用抗噪音能力强、信号传输时间短的______。栅极和发射极的引线应尽量短,栅极驱动电路的输出线应为______。
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
电子枪由（）组成。A、阴极、阳极B、阴极、栅极C、阳极、栅极D、阴极、阳极、栅极
跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。A、S越大，说明栅极电流B、S越大，说明栅极电压C、S越小，说明栅极电压D、S越大，说明栅极电流
SP100-C3型高频设备接通电源加热后阳极电流为零，这种情况多半是（）的问题。A、栅极电路B、阳极槽路电容器C、栅极电路上旁路电容器D、栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
SP100-C3型高频设备半高压接通后阳极有电流。产生此故障的原因有（）。A、阳极槽路电容器B、栅极电路上旁路电容器C、栅极回馈线圈到栅极这一段有断路的地方D、以上都是
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
施加在栅极网上的栅极电压（Vdc）通过图像稳定控制进行控制。
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
单选题电子枪由（）组成。A阴极、阳极B阴极、栅极C阳极、栅极D阴极、阳极、栅极
填空题电子管放大器的栅极经偏压电源接地，帘栅经帘栅电源接地，栅极和帘栅极射频直接接地，我们称这样的放大器为（）放大器。
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极 栅极C栅极、源极 漏极D发射极、栅极、集电极
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极