PNP型晶体三极管中b、c、e表示()。 A.b—基极、c—集电极、e—发射极B.b—集电极、c—基极、e—发射极C.b—发射极、c—集电极、e—基极D.b—基极、c—发射极、e—集电极
晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时()的()允许电压值,BUCEO随温度的增高()。
基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流,叫晶体管的穿透电流。() 此题为判断题(对，错)。
晶体三极管工作在放大状态的条件是（ ）。A.发射极反偏，集电极正偏B.发射极反偏，集电极反偏C.发射极正偏，集电极正偏D.发射极正偏，集电极反偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏D、集电极反偏，发射极反偏
晶体管散粒噪声具体表现为（）电流以及（）电流的起伏现象。A、基极，发射极B、发射极，集电极C、基极，集电极D、基极
晶体管的电流分配关系是：发射极电流等于集电极电流和（）。
晶体三极管放大的外部条件是：发射极（），集电极（）
晶体三极管的三个电极分别叫做（）。A、发射极、基极和集电极B、发射极、基极和受电极C、发射极、基电极和受电极D、发射极、基电极和集电极
为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极正偏，集电极零偏D、发射极反偏，集电极正偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏
当电流通过晶体三极管时、其基极电流、集电极电流、发射极电流中最大的是（）A、基极电流B、集电极电流C、发射极电流
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路
晶体三极管的E，B，C三个极分别叫做（）A、发射极，集电极，基极B、集电极，发射极，基极C、发射极，基极，集电极D、基极，发射极，集电极
当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
集电极开路输出的TTL门电路需要（）电阻，接在输出端和+5V电源之间。 A、集电极B、基极C、发射极D、栅极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。A、朝基极侧移动B、朝集电极侧移动C、不动D、在发射极处无序运动
在电子器件参数中，晶体三极管的穿透电流是指（）。A、发射极开路时，基极电流的大小B、发射极开路时，集电极电流的大小C、基极开路时，发射极电流的大小D、基极开路时，集电极电流的大小
单选题晶体三极管处于放大状态时（）。A集电极正偏，发射极正偏B集电极反偏，发射极正偏C集电极正偏，发射极反偏
单选题为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A发射极正偏，集电极正偏B发射极正偏，集电极反偏C发射极正偏，集电极零偏D发射极反偏，集电极正偏
单选题当电流通过晶体三极管时、其基极电流、集电极电流、发射极电流中最大的是（）A基极电流B集电极电流C发射极电流
单选题晶体三极管有三个电极e、b、c，分别表示（）。A发射极、基极、集电极B基极、集电极、发射极C基极、发射极、集电极D发射极、集电极、基极
多选题在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B“集电极到发射极开路”是故障模式C“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式