利用单结晶体管的特性,配合适当的电阻和电容元件就可构成可控硅的触发电路。() 此题为判断题(对，错)。
对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于
由单结晶体管组成的自激振荡电路,主要利用了单结管的()特性。 A、整流B、放大C、负阻D、两基极间的欧姆
改变单结晶体管触发电路的振荡频率,一般采用改变()的方法。 A、基极电阻B、两基极之间的电压C、发射极上RC电路的时间常数D、单结管的电流
用单结晶体管组成的自激振荡电路,主要利用了单结管的负阻特性。() 此题为判断题(对，错)。
10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
用单结晶体管组成的自激振荡电路，主要利用了单结管的负阻特性。
单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。A、触发电路的充、放电时间常数B、单结晶体管的谷点电流C、单结晶体管的分压比D、单结晶体管的谷点电压
单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。A、饱和区B、截止区C、负阻区D、触发区
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
电路是利用单结晶体管（）的工作特性设计的。A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域
单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（）。A、发射极电压UeB、电容CC、电阻rbD、分压比η
利用单结晶体管的特性，配合适当的（）（）就可构成可控硅的触发电路。
利用单结晶体管的（）特性，可以构成振荡电路，给可控整流电路提供（）脉冲。
单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A、电阻B、电容C、阻容D、电感
单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A、变小B、不变C、变大D、其它
改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
单结晶体管发射极的文字符号是（）A、CB、DC、ED、F
一般通过改变（）来改变单结晶体管触发电路的震荡频率。A、ＲeB、CC、LD、U
单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A谷点B峰点C阴极D阳极
单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A变小B不变C变大D其它
填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
单选题单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A电阻B电容C阻容D电感