()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。