不属于PLC输出点类型的是( )。 A.继电器B.可控硅C.晶体管D.IC驱动电路
晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。A、改变晶体管开关的频率B、改变晶体管导通的时间C、改变晶体管的电阻大小D、改变晶体管的放大倍数
下列（）不属于PLC可编程序控制器输出方式。A、继电器输出B、晶体管输出C、普通晶闸管D、双向晶闸管
晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。
晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
（）不属于PLC的输出方式。A、继电器输出B、普通晶闸管C、双向晶闸管D、晶体管
下列选项中，（）不属于晶体管放大器的主要技术指标。A、增益B、电源电压C、输入、输出电阻D、频率特性
在下列元件中不属于光电元件的是（）。A、光纤B、光敏电阻C、光电池D、光敏晶体管
以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（）A、VBR（CEO）B、ICMC、PCMD、β
下列哪项不属于典型全控型器件？（）A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
以下哪个状态不属于晶体管的工作状态（）。A、截止状态B、放大状态C、饱和状态D、集电状态
晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）A、与晶体管的相对导通时间成正比；B、与晶体管的导通时间成正比；C、与晶体管的截止时间成正比；D、与晶体管的相对截止时间成正比。
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
下列（）不属于PLC机可编程控制器输出方式。A、继电器输出B、晶体管输出C、普通晶体管D、双向晶体管
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
单选题下列哪项不属于典型全控型器件？（）A电力二极管B门极可关断晶闸管C电力晶体管D电力场效应晶体管
填空题晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为（）。
单选题在下列元件中不属于光电元件的是（）。A光纤B光敏电阻C光电池D光敏晶体管
单选题晶体管按导电类型可分（）。ANPN型及PNP型晶体管BN型晶体管CP型晶体管DPNP晶体管
单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
单选题在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用（）。A高频晶体管B低频晶体管C中频晶体管D大功率晶体管