对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于
10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。A、触发电路的充、放电时间常数B、单结晶体管的谷点电流C、单结晶体管的分压比D、单结晶体管的谷点电压
单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。A、饱和区B、截止区C、负阻区D、触发区
单结晶体管是一种特殊类型的（）A、场效管B、晶闸管C、三极管D、二极管
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
单结晶体管触发电路在一个电源周期内可能产生多个触发脉冲，通常每个触发脉冲都使单结晶体管由截止变导通一次。
单结晶体管是一种特殊类型的二极管，它具有（）。A、2个电极B、3个电极C、1个基极D、2个PN结
单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A、变小B、不变C、变大D、其它
改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
单结晶体管发射极的文字符号是（）A、CB、DC、ED、F
单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A变小B不变C变大D其它
填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。