vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
结型场效应管的漏极、源极可调换使用。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
静电感应晶体管SIT是一种结型场效应管，属于（）。
结型场效应管的工作是通过改变（）来控制管子的（）。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
为了使结型场效应管正常工作，两个PN结必须加（）。
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。