自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对，错)。
8)在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。（ ）
由于避雷线既架空又接地，所以也称为架空地线。A对B错
由于柴油发动机没有（）使进气压力损失小，所以为增加制动力又增设了（）
半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
PN结又可以称为（）。A、电容层B、耗尽层C、绝缘层D、隔离层
下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数
N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
金属的载流子迁移率大，所以经常用金属作为霍尔元件的材料。
由于晶体三极管（），所以将它称为双极型的，由于场效应管（），所以将其称为单极型的。
PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
判断题由于避雷线既架空又接地，所以也称为架空地线。A对B错
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
填空题半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A对B错