下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是()A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数

下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是()

  • A、载流子完成倍增过程所需要的时间
  • B、载流子在耗尽层的渡越时间
  • C、结电容和负载电阻的RC时间常数
  • D、结电容和负载电感的LC时间常数

相关考题:

( )主要用于过压保护。 A、快速二极管B、肖特基二极管C、雪崩二极管D、以上都不可以

光电二极管(PIN)具有雪崩效应。 A.错误B.正确

雪崩光电二极管是利用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管A、低B、高C、高低均可

下列不属于光电导型探测器的是()。 A、肖特基势垒光电二极管B、光电倍增管C、雪崩光电二极管D、非晶半导体太阳能电池

试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。

PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

下列光器件的工作过程和谐振腔相关的是()A、分布反馈激光器B、发光二极管C、EDFAD、雪崩光电二极管

光电二极管(PIN)具有雪崩效应。

特殊二极管有()A、变容二极管,雪崩二极管,发光二极管,光电二极管B、整流二极管,变容二极管,雪崩二极管,发光二极管C、开关二极管,雪崩二极管,发光二极管,光电二极管D、变容二极管,普通二极管,发光二极管,光电二极管

()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

影响光接收机灵敏度的主要因素是()的噪声、放大器的噪声等。A、接收机电路B、光电检测器C、漏电流D、雪崩光电二极管倍增

雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应

光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

光接收器件主要有发光二极管(LED)和雪崩光电二极管(APD)。

简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

雪崩式光敏二极管灵敏度很高,响应速度很快。

齐纳二极管和雪崩二极管具有相似的伏安特性,该特性分为三个区,即()。

简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。

单选题()就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A发光二极管BAPD雪崩光电二极管C双基极二极管D混频二极管

问答题简述雪崩光电二极管的工作原理?

单选题影响光接收机灵敏度的主要因素是()的噪声、放大器的噪声等。A接收机电路B光电检测器C漏电流D雪崩光电二极管倍增

问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A对B错

判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A对B错

名词解释题雪崩光电二极管

问答题简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。