在一个记忆环节中,0J吸起,1J~5J均落下,表示该环节未记忆进路命令。

在一个记忆环节中,0J吸起,1J~5J均落下,表示该环节未记忆进路命令。


相关考题:

设计规定记忆环节中记忆继电器吸起位置控制道岔转向反位。

什么是记忆,记忆过程包括哪些环节?

岔间记忆环节记忆继电器数量等于其后续道岔数。

某溜放进路经过五级分路道岔,头岔和末岔为定位,其它分路道岔为反位,记忆该进路命令时,相应的记忆继电器状态为()A、5J↓4J↑3J↑2J↑1J↓0J↑B、5J↓4J↑3J↑2J↑1J↓0J↓C、5J↑4J↓3J↓2J↓1J↑0J↑D、5J↑4J↓3J↓2J↓1J↑0J↓

道岔记忆环节接收进路命令必须具备的条件是:记忆环节空闲和道岔轨道区段空闲。

记忆的环节

对信息的保持时间大约为一分钟左右,是信息从感觉记忆到长时记忆之间的一个过渡环节,这是()A、瞬时记忆B、短时记忆C、长时记忆D、识记

科学记忆的主要环节有()、及时复习。A、抓住记忆的第一印象B、尝试记忆C、理解记忆D、过度记忆

识记是记忆过程的第一个基本环节。

在记忆活动中,知识的巩固主要通过()和()这二个记忆环节来实现的。

末岔环节提前接收的命令,依靠1记忆继电器1J和保护继电器BHJ的()特性,避免中途丢失。

设计规定记忆环节中记忆继电器状态与道岔位置的关系为()A、继电器吸起位置控制道岔转向定位B、继电器落下位置控制道岔转向定位C、继电器吸起位置控制道岔转向反位D、继电器落下位置控制道岔转向反位

道岔记忆环节能够接收进路命令的必备条件是记忆环节空闲。

自动集中电路中的中间道岔环节中,BHJ吸起,表示该环节接受了进路命令。

岔间记忆环节和中间道岔记忆及执行环节BHJ的缓放作用,是在传递命令时,使后一环节的BHJ可靠励磁。

道岔表示电路中,用道岔表示继电器的()状态和道岔的正确位置相对应,不准用一个继电器的吸起和落下表示道岔的两种位置。A、吸起B、落下C、吸起或落下

判断题设计规定记忆环节中记忆继电器吸起位置控制道岔转向反位。A对B错

单选题道岔表示电路中,用道岔表示继电器的()状态和道岔的正确位置相对应,不准用一个继电器的吸起和落下表示道岔的两种位置。A吸起B落下C吸起或落下

填空题末岔环节提前接收的命令,依靠1记忆继电器1J和保护继电器BHJ的()特性,避免中途丢失。

单选题某溜放进路经过五级分路道岔,头岔和末岔为定位,其它分路道岔为反位,记忆该进路命令时,相应的记忆继电器状态为()A5J↓4J↑3J↑2J↑1J↓0J↑B5J↓4J↑3J↑2J↑1J↓0J↓C5J↑4J↓3J↓2J↓1J↑0J↑D5J↑4J↓3J↓2J↓1J↑0J↓

判断题道岔记忆环节能够接收进路命令的必备条件是记忆环节空闲。A对B错

判断题岔间记忆环节和中间道岔记忆及执行环节BHJ的缓放作用,是在传递命令时,使后一环节的BHJ可靠励磁。A对B错

判断题在一个记忆环节中,0J吸起,1J~5J均落下,表示该环节未记忆进路命令。A对B错

判断题自动集中电路中的中间道岔环节中,BHJ吸起,表示该环节接受了进路命令。A对B错

单选题每一钩记忆环节中的()是否吸起,可作为该记忆环节是否储存命令的标志。A0JB1YCJC1YFJD1YCJF

单选题设计规定记忆环节中记忆继电器状态与道岔位置的关系为()A继电器吸起位置控制道岔转向定位B继电器落下位置控制道岔转向定位C继电器吸起位置控制道岔转向反位D继电器落下位置控制道岔转向反位

单选题岔间记忆环节和中间道岔记忆及执行环节BHJ的缓放作用,是在传递命令时,使后一环节的()可靠励磁AYYJBYFJCBCJDBHJ