名词解释题开启电压VT

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开启电压VT

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推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。 A.错误B.正确

电压表的示值Vi为30V,而电压实际值Vt为30.5V,则电压表的示值误差等于( ).A、0.5VB、-0.5VC、0.25VD、-0.25V

在图题10-1所示的电路中,已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

差分放大电路如图所示,若晶体管VT1、VT2的参数对称,β均为50,rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为(  )。A.50B.-1C.1.3D.-11

Intel在其自身CPU上应用的硬件辅助虚拟化技术称为()A、VT-aB、VT-yC、VT-xD、VT-z

推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。

全桥式功率变换电路中当一组高压开关管(VT1,VT4)导通时,截止品体管(VT2,VT3)上施加的电压即为输入电压E,当所有晶体管均截止时,同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压(即E/2)。

开启电压(VT)

增强型场效应管中,用Vt表示()电压。

NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能()。

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判断题全桥式功率变换电路中当一组高压开关管(VT1,VT4)导通时,截止品体管(VT2,VT3)上施加的电压即为输入电压E,当所有晶体管均截止时,同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压(即E/2)。A对B错

填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

判断题GaAs的开启电压约为1V。A对B错

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填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

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填空题开启电压(阈值电压)的高低与栅下半导体中的(),栅氧化层的()、()、()、()等有关。载流子浓度越高,开启电压的绝对值();栅氧化层厚度越厚,开启电压的绝对值()。

判断题推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。A对B错

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