判断题推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。A对B错

判断题
推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。
A

B


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推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。 A.错误B.正确

单相整流电路中,二极管承受的反向电压最大值出现在二极管()A、截止时B、导通时C、由导通转截止时D、由截止转导通时

设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

全桥式功率转换电路中,当一组高压开关管导通时,截止晶体管上施加的电压为().A、输入电压EB、1/2输入电压C、2倍输入电压D、1/3输入电压

当在NPN型三极管的基极施加正电压时()。A、导通;B、截止;C、处于发达状态;D、可能会击穿。

在功率转换电路中稳压时高压开关管集射间施加的电压半桥式与全桥式输入电压相同。

推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E/2。

全桥式功率变换电路中当一组高压开关管(VT1,VT4)导通时,截止品体管(VT2,VT3)上施加的电压即为输入电压E,当所有晶体管均截止时,同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压(即E/2)。

晶体管调压器中,晶体管的导通比指的是:()A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间

当在可控硅的控制极施加正电压时().A、导通;B、施加时导通,离开后截止;C、没有反映;D、正电压导通,负电压截止。

在功率转换电路中稳压时高压开关管集射间施加的电压半桥式为2倍的输入电压。()

在全桥式、半桥式、推挽式三种功率转换电路中高压开关管集射间施加的电压较小的为()。A、推挽式B、全桥式C、半桥式D、整流式

在功率转换电路中稳压时高压开关管集射间施加的电压推挽式为2倍的输入电压。()

全桥式功率转换电路中,当一组高压开关管导通时,截止晶体管上施加的电压为()。A、输入电压EB、1/2输入电压C、2倍的输入电压D、1/3输入电压

单相整流电路中,二极管承受的电压的最大值出现在二极管()。A、截止时B、导通时C、由导通转截止时D、无法确定

在开关电源中,()电路控制开关管的导通或截止时间,使其输出电压最终稳定。A、脉冲调宽B、取样C、误差放大D、滤波

单结晶体管的发射极电压高于()时就会导通,低于()时就截止。

当单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通;低于()电压时就截止。

对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,同时在基极上也施加正电压,那么()。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通

在晶体管调压器中,当发电机电压升高时,晶体管处于:().A、导通时间长,截止时间短B、导通时间短,截止时间长C、导通时间和截止时间都短D、导通时间和截止时间都长

在PWM式晶体管调压器中,当发电机电压升高时,功率管:().A、导通时间增大B、导通时间减少C、开关频率增加D、开关频率减少

在单相整流电路中,二极管承受的反向电压的最大值出现在二极管()。A、由导通转截止时B、由截止转导通时C、导通时D、截止时

晶体管的开关特性,主要反应为晶体管饱和和导通时,相当于一个开关的();而晶体管截止时,相当于一个开关的()

多选题在全桥式、半桥式、推挽式三种功率转换电路中高压开关管集射间施加的电压较小的为()。A推挽式B全桥式C半桥式D整流式

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