开启电压（VT）

开启电压（VT）

相关考题：

推挽式功率变换电路中VT1管导通时,在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压(2E)一对开关管均截止时,它们的集电极施加电压均为E／2。 A．错误B．正确
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电压表的示值Vi为30V,而电压实际值Vt为30.5V,则电压表的示值误差等于( ).A、0.5VB、-0.5VC、0.25VD、-0.25V
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()是引起ALI的独立危险因素。 A、大Vt和高气道压B、小Vt和高气道压C、大Vt和低气道压D、小Vt和低气道压
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在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
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设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。A．50B．-1C．1.3D．-11
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Intel在其自身CPU上应用的硬件辅助虚拟化技术称为（）A、VT-aB、VT-yC、VT-xD、VT-z
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推挽式功率变换电路中VT1管导通时，在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压（2E）一对开关管均截止时，它们的集电极施加电压均为E/2。
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全桥式功率变换电路中当一组高压开关管（VT1，VT4）导通时，截止品体管（VT2，VT3）上施加的电压即为输入电压E，当所有晶体管均截止时，同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压（即E/2）。
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3300前置器需要在它的VT端和COM端之间提供（）直流电压。A、-12VB、-24VC、+12VD、+24V
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基本肺容积由下列哪项组成（）A、VT+残气量（RV）B、潮气量（VT）+补吸气量（IRV）C、VT+补呼气量（ERV）D、VT+IRV+ERV+RVE、RV+ERV
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前置器需要在它的VT端和COM端之间提供（）直流电压。A、－12VB、－24VC、+12VD、+24V
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增强型场效应管中，用Vt表示（）电压。
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NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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判断题全桥式功率变换电路中当一组高压开关管（VT1，VT4）导通时，截止品体管（VT2，VT3）上施加的电压即为输入电压E，当所有晶体管均截止时，同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压（即E/2）。A对B错
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填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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单选题三相桥式全控整流电路对触发脉冲的要求，按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差（）度。A0B60C90D180
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名词解释题开启电压VT
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填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
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问答题阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？
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问答题阈值电压VT的功能是什么？
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