判断题同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。A对B错
判断题
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
A
对
B
错
参考解析
解析：
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关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理。
单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
判断题由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光电导器件。A对B错