P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应( )。 A、带正电B、带负电C、不带电
在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流
光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生()而制成的光电器件。A、外光电效应B、光电导效应C、光生伏特效应
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件
光电管是利用物质在光的照射下发射电子的()而制成的光电器件。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电导效应D. 光生伏特效应
P型半导体是指()的物体。 A.物体内的带电质点(电子或离子)能够自由移动B.电导率很小C.主要靠空穴来导电D.主要靠自由电子导电
因为P型半导体中空穴多于电子，因此P型半导体呈正电性。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理。
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
P型半导钵中，电子比空穴（）A、多B、少C、一样多D、不确定
P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
问答题为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区？这与电子、空穴的迁移率有关吗？
单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）A相等B小C大
判断题同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。A对B错
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子