单选题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）A漂移迁移率B电导迁移率C霍尔迁移率D磁阻迁移率
单选题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
A
漂移迁移率
B
电导迁移率
C
霍尔迁移率
D
磁阻迁移率
参考解析
解析：
暂无解析
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默多克(Murdock．D．D)的迁移率计算公式表述为（ ）。A．迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?(实验组成绩 控制组成绩)?100B．迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?控制组成绩?100C．迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?实验组成绩?100D．迁移率(%)=(控制组成绩-实验组成绩)?(实验组成绩 控制组成绩)?100
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单选题默多克（Murdock．D．D）的迁移率计算公式表述为（）。A迁移率（%）=（实验组成绩－控制组成绩）÷（实验组成绩+控制组成绩）×100B迁移率（%）=（实验组成绩－控制组成绩）÷控制组成绩×100C迁移率（%）=（实验组成绩－控制组成绩）÷实验组成绩×100D迁移率（%）=（控制组成绩－实验组成绩）÷（实验组成绩+控制组成绩）×100
单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降