单选题1950年美国人提出的PFM修复体,由下列哪项材料烧结而成?(  )A高熔瓷粉与镍铬合金B低熔瓷粉与金合金C低熔瓷粉与中熔合金D中熔瓷粉与镍铬合金E中熔瓷粉与金合金

单选题
1950年美国人提出的PFM修复体,由下列哪项材料烧结而成?(  )
A

高熔瓷粉与镍铬合金

B

低熔瓷粉与金合金

C

低熔瓷粉与中熔合金

D

中熔瓷粉与镍铬合金

E

中熔瓷粉与金合金


参考解析

解析: 暂无解析

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造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括A、咬合早接触B、金属基底表面污染C、金瓷材料热膨胀系数不匹配D、应力集中E、粘结剂厚度

在真空炉内烧结而成PFM修复体的是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金

在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷合金E、低熔瓷粉与金合金

PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A、高熔瓷粉与镍铬合金B、低熔瓷粉与中熔合金C、中熔瓷粉与金合金D、低熔瓷粉与金合金E、中熔瓷粉与镍铬合金

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A.生物学性能B.金瓷结合C.色泽D.以上说法全都正确E.以上说法全都不正确

PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金

从粘接固位角度考虑,下列哪种材料制作修复体粘接固位力最强()。 A.钴铬合金PFM冠B.硅酸盐基全瓷冠C.氧化铝陶瓷冠D.氧化锆陶瓷冠

下面哪项,不是影响金-瓷热膨胀系数的因素A、材料自身质量不稳定B、瓷粉的污染C、烧结次数的变化D、修复体瓷层的厚薄E、环境温度的影响

1950年美国人提出的PFM修复体,由下列哪项材料烧结而成A、高熔瓷粉与镍铬合金B、低熔瓷粉与金合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、中熔瓷粉与镍铬合金E、中熔瓷粉与金合金

PFM冠体瓷烧结起始温度过低,升温速度过慢会出现A、牙冠变形B、颜色变亮C、颜色变暗D、瓷内气泡E、透明度增加

造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括A.咬合早接触B.金属基底表面污染C.金瓷材料热膨胀系数不匹配D.应力集中E.粘结剂厚度

PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A.中熔瓷粉与烤瓷合金B.低熔瓷粉与烤瓷金合金C.低熔瓷粉与金合金D.高熔瓷粉与镍铬合金E.低熔瓷粉与中熔合金

美国人()的轻质结构建筑通常由球体或四面体结合而成,他曾经设想了一个用2英里大小的穹隆来覆盖纽约市中心的方案。

三A法则是由美国人科尔比提出的。()

烧结砖是以()等为主要材料烧制而成的实心砖。A、黏土B、矿渣C、石灰D、砂石

下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A、生物学性能B、金瓷结合C、色泽D、以上说法全都正确E、以上说法全都不正确

29岁男性患者,左上前牙不慎撞断1天,冷热刺激痛,要求修复。修复前准备完成后,下列修复体中哪种适合().A、贴面B、嵌体C、3/4冠D、铸造金属全冠E、铸造桩加PFM全冠

单选题修复前准备完成后,下列修复体中哪项合适?(  )A贴面B嵌体C3/4冠D铸造金属全冠E铸造桩加PFM全冠

单选题下面哪项,不是影响金-瓷热膨胀系数的因素?(  )A材料自身质量不稳定B瓷粉的污染C烧结次数的变化D修复体瓷层的厚薄E环境温度的影响

单选题造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括()A咬合早接触B金属基底表面污染C金瓷材料热膨胀系数不匹配D应力集中E粘结剂厚度

单选题以下关于金属烤瓷修复体的描述哪项是错误的?(  )A瓷层越厚越好B镍铬合金基底冠较金合金强度好C体瓷要在真空中烧结D避免多次烧结E金属基底冠的厚度不能太薄

单选题烧结砖是以()等为主要材料烧制而成的实心砖。A黏土B矿渣C石灰D砂石

单选题在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是()A高熔瓷粉与镍铬合金B中熔瓷粉与烤瓷合金C低熔瓷粉与中熔合金D低熔瓷粉与烤瓷合金E低熔瓷粉与金合全

单选题下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A生物学性能B金瓷结合C色泽D以上说法全都正确E以上说法全都不正确

单选题若患牙腭尖崩折,缺损齐龈,颊侧牙体组织完整,患者不接受暴露金属,则可行下列哪项修复方案?(  )A单纯PFM全冠修复B铸造金属基底桩冠C铸造金属桩核+PFM全冠修复D预成树脂桩+树脂核+树脂冠E以上都不是

单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6~8℃C低于体瓷烧结温度10~20°CD高于体瓷烧结温度6~8℃E高于体瓷烧结温度10~20℃