单选题焦饼中心缝产生的主要原因()。A加热程度太高B煤的变质程度不够C由于内部气体压力及半焦收缩D集气管压力过大

单选题
焦饼中心缝产生的主要原因()。
A

加热程度太高

B

煤的变质程度不够

C

由于内部气体压力及半焦收缩

D

集气管压力过大


参考解析

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焦饼中心缝产生的主要原因()A.加热程度太高B.煤的变质程度不够C.由于内部气体压力及半焦收缩D.集气管压力过大

()温度确定的依据是焦饼中心温度。

焦饼中心温度上下温差不超过150℃。

在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据,同时又是确定机焦侧温度差的依据。

改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。

焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机.焦侧温度差的依据。

成熟焦饼中心面上有一条缝称为()。

焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。

用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。

测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。

焦饼中心温度为900±50℃。

规定的焦饼中心温度()。A、(800±50)℃B、(900±50)℃C、(1000±50)℃

焦饼中心缝产生的主要原因()。A、加热程度太高B、煤的变质程度不够C、由于内部气体压力及半焦收缩D、集气管压力过大

问答题测量焦饼中心温度的目的是什么?

问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

填空题成熟焦饼中心面上有一条缝称为()。

判断题焦饼中心温度为900±50℃。A对B错

判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A对B错

单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A800±50℃B900±50℃C1000±50℃D1100±50℃

单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A300B600C800