在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
焦炉强化生产时，标准温度显著升高，容易造成（）等。A、低温事故B、炭化室内石墨生长很快C、焦饼成熟不匀D、焦炭较碎
当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。A、800℃B、950℃C、1000℃D、1050℃
通常表征焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、标准火道温度D、横排温度
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃
用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A、300B、600C、800
最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、直行温度D、横排温度
改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
标准温度是指机焦侧火道平均温度的控制值，是规定结焦时间内保证焦饼成熟的主要温度指标。
强化生产时，标准温度显著升高，容易造（）等。A、低温事故B、炭化室内石墨生长很快C、焦饼成熟不匀D、焦炭较碎
单选题最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A炉顶空间温度B焦饼中心温度C直行温度D横排温度
问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A对B错
单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A300B600C800