测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?


相关考题:

测量焦饼中心温度的目的是什么?

焦饼中心温度一般控制在()。

在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。

改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。

焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。

焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。

焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

焦饼中心温度出焦前()小时测一次温度,以后每隔半小时测一次,共三次。A、1.5B、2.0C、2.5

用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A、300B、600C、800

配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。

()温度确定的依据是焦饼中心温度。

焦饼中心温度为900±50℃。

改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。

正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。

填空题()温度确定的依据是焦饼中心温度。

判断题测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。A对B错

判断题改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。A对B错

判断题改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。A对B错

问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

判断题正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。A对B错

问答题测量焦饼中心温度的目的是什么?

单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A800±50℃B900±50℃C1000±50℃D1100±50℃

单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。A300B600C800