焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。

  • A、800±50℃
  • B、900±50℃
  • C、1000±50℃
  • D、1100±50℃

相关考题：

()温度确定的依据是焦饼中心温度。
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确定标准温度的依据是() A、横墙温度B、焦饼中心温度C、直行温度
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焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？
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焦饼中心温度一般控制在（）。
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在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。A、800℃B、950℃C、1000℃D、1050℃
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通常表征焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、标准火道温度D、横排温度
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焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。
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测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
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焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。
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焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A、300B、600C、800
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最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、直行温度D、横排温度
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焦饼中心温度为900±50℃。
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焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
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改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
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填空题（）温度确定的依据是焦饼中心温度。
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单选题最能反映焦炭成熟的温度指标是（）。A炉顶空间温度B焦饼中心温度C直行温度D横排温度
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问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A对B错
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单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A800±50℃B900±50℃C1000±50℃D1100±50℃
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单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A300B600C800
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