单选题

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致（　　）。

A Na⁺、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺

B Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca²⁺

C Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺

D K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-

E K⁺、Cl^-、Na⁺，尤其是Cl^-

解析：
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-的通透性增加所致，其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控Cl^-通道开放。这种配体门控通道的开放引起Cl^-内流，结果突触后膜发生超极化。此外，抑制性突触后电位的形成还可能与突触后膜K⁺通道的开放或Na⁺通道和Ca²⁺通道的关闭有关。