抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）A、Cl-的通透性B、K+的通透性C、Na+的通透性D、Mg2+的通透性
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）
- A、Cl-的通透性
- B、K+的通透性
- C、Na+的通透性
- D、Mg2+的通透性
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由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性？（ ）ANa＋、Cl－，尤其是对K＋BCa2＋、K＋、Cl－，尤其是对Ca2＋CNa＋、K＋，尤其是对Na＋DK＋、Cl－，尤其是对Cl－EK＋、Ca2＋、Na＋，尤其是对Ca2＋
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）A去极化B超极化C反极化D复极化