问答题简述多晶硅注入的应用

问答题
简述多晶硅注入的应用

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能够从上述资料中推出的是：A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨
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简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
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简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
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简述注入泡沫的功能？
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简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
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简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
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简述低温多晶硅技术的挑战。
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简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
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简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
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青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A、一B、二C、三D、四
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系统要防止将用户输入未经检查就用于构造数据库查询，防范（）攻击。A、查询注入B、应用注入C、WEB注入D、SQL注入
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哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
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简述sql注入原理。
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判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
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单选题系统要防止将用户输入未经检查就用于构造数据库查询，防范（）攻击。A查询注入B应用注入CWEB注入DSQL注入
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单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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问答题简述离子注入的应用？
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判断题侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。A对B错
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问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
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问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。
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问答题简述离子注入工艺在元器件中的应用
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单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积
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