单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A碘化铯闪烁体B开关二极管C光电二极管D电容器E模数转换器

单选题
非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()
A

碘化铯闪烁体

B

开关二极管

C

光电二极管

D

电容器

E

模数转换器


参考解析

解析: 暂无解析

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关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

非晶硅平板A.直接转换B.间接转换C.光电转换D.电光转换E.闪烁晶体

属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒(a-SE.C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同

非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是()A、信号输出方式不同B、图像重建方法不同C、图像矩阵大小不同D、光电转换过程不同E、模/数转换过程不同

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应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

非晶硒平板探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CsID、A/D转换器E、储能电容

非晶硒平板型探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CSID、A/D转换器E、储能电容

单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A硫氧化钆B碘化铯C光电二极管D非晶硅E非晶硒

单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A信号读出B荧光材料层和探测元阵列层的不同CA/D转换D信号输出E信号放大

多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A极间电容B光电二极管C场效应管D模数转换器E非晶硒层

单选题非晶硅平板探测器中,将X线转换成光信号的材料是(  )。ACsIBa-SeCCCDDBaFBrECaWO4

单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅DCCD

单选题非晶硒与非晶硅平板探测器本质区别是()A信号输出方式不同B图像重建方法不同C图像矩阵大小不同D光电转换过程不同E模/数转换过程不同

单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B将可见光转换成电信号的是模/数转换器C主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E在闪烁晶体上形成储存电荷

单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A表面电极B基板层C光电二极管D非晶硅TFT阵列E碘化铯晶体层

多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

单选题间接转换型平板探测器的组成不包括(  )。A基板层B光电二极管C非晶硅TFT阵列D碘化铯晶体层E集电矩阵

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单选题间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。A碘化铯闪烁体B光电二极管C非晶硒D模数转换器E光电倍增管

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单选题属于DR成像直接转换方式的是()A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器