单选题间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。A碘化铯闪烁体B光电二极管C非晶硒D模数转换器E光电倍增管

单选题
间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。
A

碘化铯闪烁体

B

光电二极管

C

非晶硒

D

模数转换器

E

光电倍增管


参考解析

解析: 暂无解析

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属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()A、碘化铯的其针状(或称柱状)结构B、闪烁体层制作得较厚C、像素太小D、像素太大E、光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

属于DR成像直接转换方式的部件是()A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

CR利用()进行成像。A、光激励存储荧光体B、非晶硒等光电转换晶体C、稀土D、影像增强器E、光电倍增管

CR是利用()进行成像A、光激励存储荧光体B、非晶硒等光电转换晶体C、稀土D、影像增强器E、光电倍增管

单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A硫氧化钆B碘化铯C光电二极管D非晶硅E非晶硒

单选题关于碘化铯特点的叙述,错误的是(  )。A使用碘化铯层和光电二极管的非晶硅平板探测器中,碘化铯层不同于其他闪烁体,它的晶体直接生长在基板上B在碘化铯探测器上,X线吸收和伪影之间的折中相比于传统的闪烁体已几乎不是问题C碘化铯能很好地吸收X线,但在数字图像之间不会产生光学图像,这种方式被称为间接转换D探测器元素可以独立地优化而不影响整个探测器的性能E碘化铯闪烁晶体受到X线照射后,将入射的X线光子转换为可见光

单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A极间电容B光电二极管C场效应管D模数转换器E非晶硒层

单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A增感屏B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题属于DR成像直接转换方式的部件是()A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题间接转换探测器进行光电转换的元件是(  )。A碘化铯闪烁体B光电二极管C非晶硒D模数转换器E光电倍增管

单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B将可见光转换成电信号的是模/数转换器C主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E在闪烁晶体上形成储存电荷

单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A表面电极B基板层C光电二极管D非晶硅TFT阵列E碘化铯晶体层

单选题间接转换型平板探测器的组成不包括(  )。A基板层B光电二极管C非晶硅TFT阵列D碘化铯晶体层E集电矩阵

单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A碘化铯闪烁体B开关二极管C光电二极管D电容器E模数转换器

多选题非晶硅平板探测器的结构包括(  )。A保护层B碘化铯闪烁体层C非晶硅光电二极管阵列D行驱动电路E图像信号读取电路

单选题间接转换技术的DR,应用的转换介质是()A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅

单选题属于DR成像直接转换方式的是()A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器

单选题CR利用()进行成像。A光激励存储荧光体B非晶硒等光电转换晶体C稀土D影像增强器E光电倍增管

单选题CR是利用()进行成像A光激励存储荧光体B非晶硒等光电转换晶体C稀土D影像增强器E光电倍增管