单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A表面电极B基板层C光电二极管D非晶硅TFT阵列E碘化铯晶体层

单选题
关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。
A

表面电极

B

基板层

C

光电二极管

D

非晶硅TFT阵列

E

碘化铯晶体层


参考解析

解析: 暂无解析

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关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()。A.碘化铯的其针状(或称柱状)结构B.闪烁体层制作得较厚C.像素太小D.像素太大E.光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()A、碘化铯的其针状(或称柱状)结构B、闪烁体层制作得较厚C、像素太小D、像素太大E、光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A、属于间接转换型平板探测器B、常见的多为碘化铯+非晶硅型C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极

关于间接转换型平板探测器工作原理的描述,错误的是()A、CSI晶体将X线光子转化为可见光信号B、可见光沿碘化铯针状晶体传递到光电二极管C、光电二极管将光信号变为电信号D、电信号储能在TFT晶体管中E、TFT晶体管阵列顺序读取各像素的信息

关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A硫氧化钆B碘化铯C光电二极管D非晶硅E非晶硒

单选题关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A玻璃基板B集电矩阵C非晶硒层D半导体层E顶层电极

单选题关于间接转换型平板探测器工作原理的描述,错误的是(  )。ACSI晶体将X线光子转化为可见光信号B可见光沿碘化铯针状晶体传递到光电二极管C光电二极管将光信号变为电信号D电信号储能在TFT晶体管中ETFT晶体管阵列顺序读取各像素的信息

单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

单选题对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()A碘化铯的其针状(或称柱状)结构B闪烁体层制作得较厚C像素太小D像素太大E光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上

多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

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单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B将可见光转换成电信号的是模/数转换器C主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E在闪烁晶体上形成储存电荷

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单选题关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A属于间接转换型平板探测器B常见的多为碘化铯+非晶硅型C碘化铯层的晶体直接生长在基板上D碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影EX线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

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单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器

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多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。()A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层