结型场效应管的输出特性曲线可分为()几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区

结型场效应管的输出特性曲线可分为()几部分。

  • A、放大区
  • B、饱和区
  • C、截止区
  • D、可变电阻区
  • E、击穿区

相关考题:

()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

结型场效应管可分为()。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型

结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。

功率场效应管的输出特性包括截止、放大、饱和三个工作区。

高压复合结型场效应管

结型场效应管的工作是通过改变()来控制管子的()。

结型场效应管的文字符号为()。A、SB、DC、VD、A

结型场效应管的输出特性曲线可分为()。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

晶体管输出特性曲线可分为哪几个区?

根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为()、()、()和()四个区域。

根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为()、饱和区、截止区和击穿区。

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

场效应管按结构分为结型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

场效应管输出特性的三个区域分别是()区、()区、()区。

场效应管用作α信号放大时,其静态工作点应设置在输出特性曲线的()A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区

场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指()一定时,()与()这间的关系曲线,它可划分为()、()和()三个区域。

场效应管按结构分为结型和()两种类型。

为了使结型场效应管正常工作,两个PN结必须加()。

结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管,属于()

根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。

名词解释题高压复合结型场效应管

单选题结型场效应管可分为()。AMOS管和MNS管BN沟道和P沟道C增强型和耗尽型DNPN型和PNP型