填空题杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

填空题
杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

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相关考题:

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对,错)。

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散

在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

就Fe和C原子扩散来说,贝氏体转变属于()A、Fe和C原子均扩散B、Fe和C原子均不扩散C、Fe原子扩散,C原子不扩散D、Fe原子不扩散,C原子扩散

农业创新的扩散方式中,“辐射式”或“以点带面”指的是()A、传习式扩散方式B、接力式扩散方式C、波浪式扩散方式跳跃式扩散方式

对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快,这种现象叫()。

离子电导微观机构:载流子-离子的扩散。离子扩散机构有()、()、()。

单选题农业创新的扩散方式中,“辐射式”或“以点带面”指的是()A传习式扩散方式B接力式扩散方式C波浪式扩散方式跳跃式扩散方式

单选题在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。A低于B高于C等于D不确定

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。A对B错

填空题晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快,这种现象叫()。

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。A对B错

单选题关于Na+跨膜转运的方式,下列哪项描述正确?()A以单纯扩散为主要方式B以易化扩散为次要方式C以主动转运为唯一方式D有易化扩散和主动转运两种方式E有易化扩散和单纯扩散两种方式

名词解释题替位式扩散

单选题受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是()。A本征扩散B非本征扩散C正扩散D逆扩散

判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错

填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

单选题氧在多数金属材料中的扩散机构属于()A间隙机构扩散B空位机构扩散C环易位机构扩散D直接易位机构扩散

填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A对B错

单选题改善扩散的主要途径是()A利用杂质对扩散的影响B利用改善晶界C利用细化晶粒D提高温度