判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。A对B错

判断题
替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
A

B


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相关考题:

马氏体的转变没有碳原子的扩散,只有晶格的改组,没有形核和长大的过程。()

以下与乙撑亚胺类抗肿瘤药物性质相符的说法是A、是在脂肪氮芥的氮原子上以吸电子基团取代而获得B、代表药物有塞替哌和替哌C、塞替哌对酸不稳定,不能口服D、塞替哌为替哌的前体药物E、以上都对

溶质原子置换了溶剂晶格中某些结点位置上的溶质原子而形成的固溶体,称为()。

当晶格上的原子位置被外来原子所占据把这样的缺陷叫做()。A、空位B、间隙原子C、置换原子D、线缺陷

外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子,杂质原子既可以进入间隙位,也可以取代原有原子进入正常结点位置。

点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。()

在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散

在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质。A、替位式B、间隙式C、施主D、可能是替位式也可能是间隙式

下列关于动态应变时效描述正确的是:()A、原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时降低B、原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时降低C、原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时增加D、原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时增加

原子晶体,其晶格结点上的微粒之间的力是(),这类晶体一般熔沸点(),例如()晶体就是原子晶体。

金属的塑性变形是通过()实现的。A、位错运动B、原子的扩散运动C、众多原子的变形D、晶格畸变

晶格中原子偏离平衡位置现象称为()。A、位错B、晶格畸变C、同等导构转变D、固溶

杂质原子进入晶体中正常结点之间的间隙位为填隙原子或填隙离子。

将音程的根音和冠音互换位置,称作为音程的转位。

Q—D一葡萄糖和B-D-葡萄糖的主要区别是下列哪一个?()。A、第l位碳原子上的羟基B、第2位碳原子上的羟基C、第5位碳原子上的羟基D、第4位碳原子上的羟基

下列镇痛药化学结构中17位氮原子上有烯丙基取代的是()。A、苯乙基吗啡B、烯丙吗啡C、哌替啶D、吗啡

填空题杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

单选题晶格中原子偏离平衡位置的现象称为()。A位错B同素异构转变C晶格畸变

单选题下列关于动态应变时效描述正确的是:()A原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时降低B原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时降低C原子扩散速度大于位错速度,且流动性暂时增加D原子扩散速度小于位错速度,且流动性暂时增加

名词解释题替位式扩散

判断题连续固溶体可以是替位式固溶体,也可以是间隙式固溶体。A对B错

判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错

填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()A取代原子B空位原子C杂质原子D填隙原子