单选题自身釉烧结的温度是(  )。ABCDE

单选题
自身釉烧结的温度是(  )。
A

B

C

D

E


参考解析

解析:
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

相关考题:

上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20~30℃B、高10~20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10~20℃

用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

瓷器是在陶器的基础上制成的器物,瓷器胎料的成分主要是高岭土,烧成温度必须在1300℃以上,胎釉经高温烧结后,不易脱落。( )

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。

关于烤瓷冠瓷层透明度描述正确的为A、与烧结的次数无关B、烧结温度偏高较好C、随着烧结次数的增加而提高D、随着烧结次数的增加而降低E、烧结温度偏低较好

生料加热煅烧控制所必须的最少的液相量时的温度叫()。A、开始烧结温度B、烧结温度C、要求烧结温度

烧结温度是指烧结料层中某一点达到的()。A、点火温度B、最高温度C、平均温度

低温烧结是指温度1000℃的烧结。

烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。()

若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

烧结瓦根据表面状态可分为()A、平瓦B、有釉C、双筒瓦D、无釉

在商代和西周遗址中发现的()已明显具有瓷器的基本特征。它们质地较陶器细腻坚硬,胎色以灰白居多,烧结温度高达1100-1200℃,胎质基本烧结,吸水性较弱,器表面施有一层石灰釉。A、青釉器B、白釉器C、黑釉器D、灰釉器

单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。ABCDE

单选题若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。A高20~30℃B高10~20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10~20℃

单选题在商代和西周遗址中发现的()已明显具有瓷器的基本特征。它们质地较陶器细腻坚硬,胎色以灰白居多,烧结温度高达1100-1200℃,胎质基本烧结,吸水性较弱,器表面施有一层石灰釉。A青釉器B白釉器C黑釉器D灰釉器

单选题上釉的烧结温度是()A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确

判断题瓷器是在陶器的基础上制成的器物,瓷器胎料的成分主要是高岭土,烧成温度必须在1300℃以上,胎釉经高温烧结后,不易脱落。A对B错

单选题用釉粉上釉的烧结温度是(  )。ABCDE

问答题什么是釉的始熔温度、流动温度、釉的熔融温度范围、釉的成熟温度?

单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确

单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6~8℃C低于体瓷烧结温度10~20°CD高于体瓷烧结温度6~8℃E高于体瓷烧结温度10~20℃

判断题瓷器的烧成温度必须在1000℃以上,因为胎釉经高温烧结后不易脱落。(  )A对B错