单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。A高20～30℃B高10～20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10～20℃

单选题
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。
A

高20～30℃

B

高10～20℃

C

高10℃以内

D

低10℃以内

E

低10～20℃

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上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
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用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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PFM烧结过程，下列说法正确的有（）A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
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单选题瓷熔附合金的熔化温度应比瓷的烧结温度和用于连接桥体的焊料温度（）A低B稍低C接近D高
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单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（　　）。ABCDE
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单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。A高20～30℃B高10～20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10～20℃
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单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
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单选题上釉的烧结温度是（　　）。ABCDE
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单选题PFM冠上釉时的炉温是（　　）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃
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