低温烧结是指温度1000℃的烧结。

低温烧结是指温度1000℃的烧结。


相关考题:

上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。

低温烧结是指温度1000℃的烧结。() 此题为判断题(对,错)。

目前,一般认为烧结温度高于1300度是高温烧结矿,低于1300度为低温烧结矿。此题为判断题(对,错)。

烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。此题为判断题(对,错)。

烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度

低温烧结过程中,铁酸钙的生成条件是合适的温度和__________气氛。

烧结温度是指烧结料层中某一点达到的()。A、点火温度B、最高温度C、平均温度

目前,一般认为烧结温度高于1300度是高温烧结矿,低于1300度为低温烧结矿。

烧结温度是指烧结料层中某一点的()。

低温烧结就是指控制烧结温度在()的范围内,适当增宽高温带,确保生存足够的粘结相的一种烧结新工艺。

烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。()

若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

改善烧结矿质量的有效措施有()、优化配料、偏析布料、()、低温烧结、热风烧结等。

低温烧结是指烧结温度控制在()℃范围内A、1150-1250B、1200-1280C、1250-1300D、1300-1350

低温烧结是指控制烧结温度在()范围。A、1150-1200℃B、1200-1280℃C、1280-1320℃D、1320-1380℃

低温烧结就是指控制烧结结温度在()的范围内。A、1000℃~1100℃B、1100℃~1180℃C、1200℃~1280℃D、1300℃~1380℃

低温烧结适宜的点火温度一般控制在()。A、900-1000℃B、1000-1100℃C、1100-1200℃

低温烧结是指点火温度低。

低水低炭厚料层烧结,烧结温度曲线由熔融转变为低温型,烧结最温度控制在1250-1280℃,并保持1100℃以上温度的时间在()以上。A、5minB、10minC、15min

烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。

烧结终点温度是指烧结过程中某一点达到的()。

简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。

单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确

单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6~8℃C低于体瓷烧结温度10~20°CD高于体瓷烧结温度6~8℃E高于体瓷烧结温度10~20℃