经掺杂用于电子工业的硒晶体棒

经掺杂用于电子工业的硒晶体棒

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杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。 A.掺杂少B.鼠掺杂多C.纯净D.不掺杂
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值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
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为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A、掺杂少B、鼠掺杂多C、纯净D、不掺杂
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可以用于反映人体内的硒的营养状况的指标是（）。A、血硒B、发硒C、红细胞游离原卟啉（FEP）D、尿液中硒E、粪便中硒
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棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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已切割的单晶硅切片(经掺杂、直径63mm)
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电子工业用直径≥30cm单晶硅棒
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根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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填空题晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
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填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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问答题按缺陷在空间分布的情况，对晶体的缺陷进行分类，并举例说明掺杂对材料结构和性能的影响。
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问答题列举用于硅片制造的5种常用掺杂。
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填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A对B错
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判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。A对B错
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判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错
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