从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
伏安特性是电弧的重要特性之一。() 此题为判断题(对，错)。
晶体二极管的伏安特性是一条( )。A.直线B.曲线C.正弦线D.双曲线
电晕放电的伏安特性试验包括冷态伏安特性试验和热态伏安特性试验。（）A对B错
直流电弧熄灭时在线路内串入电阻可以使（）.A、电弧伏安特性上移而与电路伏安特性脱离B、电弧伏安特性下移而与电路伏安特性脱离C、电路伏安特性上移而与电弧伏安特性脱离
晶体二极管的伏安特性是一条（）。A、直线B、曲线C、正弦线D、双曲线
电除尘器在运行情况下，电场为烟气介质时的伏安特性称之为（）。A、负载伏安特性B、空载伏安特性C、直流伏安特性
晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。A、电压微变，电流微变B、电压微变，电流剧变C、电压剧变，电流微变D、电压不变，电流剧变
稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。
当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。A、下移动B、右移动C、不变D、左移动
根据电弧电流变化的快慢，其伏安特性由（）伏安特性和（）伏安特性之分。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
直流电弧熄灭时在线路内并联入电阻可以使（）A、方法不对，没有作用B、电弧伏安特性下移而与电路伏安特性脱离C、电路伏安特性上移而与电弧伏安特性脱离D、电路伏安特性下移而与电弧伏安特性脱离
电晕放电的伏安特性试验包括冷态伏安特性试验和热态伏安特性试验。（）
填空题从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有（）的特性。
填空题根据电弧电流变化的快慢，其伏安特性有（）伏安特性和（）伏安特性之分。
填空题光电三极管的基本特性有（）、伏安特性、（）、频率特性。
单选题当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。A下移动B右移动C不变D左移动
判断题稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。A对B错
填空题光电池的基本特性有（）、伏安特性、（）、频率特性、（）。