填空题晶体中五种扩散机制为（）、（）、（）、（）和（），其中（）是离子晶体中最常见的扩散机制，其扩散活化能包括（）和（）。

填空题
晶体中五种扩散机制为（）、（）、（）、（）和（），其中（）是离子晶体中最常见的扩散机制，其扩散活化能包括（）和（）。

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

物质传递基本方式有（）。A、离子扩散和对流扩散B、分子扩散和离子扩散C、分子扩散和对流扩散D、传质扩散和对流扩散
查看答案
物质传递的基本方式有（）。A、离子扩散和对流扩散B、分子扩散和离子扩散C、分子扩散和对流扩散D、传质扩散和对流扩散
查看答案
一般晶体中的扩散为（）。A、空位扩散B、间隙扩散C、易位扩散D、A和B
查看答案
扩散相与扩散介质性质差异越大，（）。A、扩散活化能越大B、扩散系数越大C、扩散活化能不变D、扩散系数越小
查看答案
空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散A、各种类型固溶体B、间隙型固溶体C、置换型固溶体D、A和B
查看答案
试分析离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数的原因。
查看答案
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
查看答案
氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
查看答案
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
查看答案
在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
查看答案
由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（）。A、易位扩散=间隙扩散空位扩散B、易位扩散间隙扩散=空位扩散C、易位扩散间隙扩散空位扩散D、易位扩散间隙扩散空位扩散
查看答案
简述扩散的原因及晶体材料的扩散机制。
查看答案
填空题在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
查看答案
单选题扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（），扩散（）。A越紧密；越困难B越疏松；越困难C越紧密；活化能越小D越疏松；活化能越大
查看答案
名词解释题晶体中的扩散
查看答案
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
查看答案
填空题本征扩散的扩散系数D＝（），其扩散活化能由（）和（）组成。
查看答案
问答题试分析离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数的原因。
查看答案
填空题根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
查看答案
填空题本征扩散是指（），其扩散系数D＝（），其扩散活化能由（）和（）组成。
查看答案
单选题晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在（）的关系。ADsDgDbBDbC.DgDsDbCDg
查看答案
单选题一般晶体中的扩散为（）。A空位扩散B间隙扩散C易位扩散DA和B
查看答案
单选题某晶体材料的扩散系数lnD与1/T关系曲线在不同温度区间出现了不同斜率的直线，这主要是由于（）所致。A扩散系数不同B扩散活化能不同C扩散机构改变D扩散温度不同
查看答案
判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错
查看答案
单选题由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（）。A易位扩散=间隙扩散空位扩散B易位扩散间隙扩散=空位扩散C易位扩散间隙扩散空位扩散D易位扩散间隙扩散空位扩散
查看答案
单选题空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（）的扩散A各种类型固溶体B间隙型固溶体C置换型固溶体DA和B
查看答案
填空题离子在晶体中扩散是通过（）的方式进行的。
查看答案
热门标签