对于金属氧化物,下列条件中()能形成n型半导体。 A、掺杂低价金属离子B、氧缺位C、引入电负性大的原子D、高价离子同晶取代
木密度的大小对苗木生长有什么影响？确定苗木密度的依据是什么？
述碱金属氧化物和碱土金属氧化物对釉的黏度和表面张力的影响？
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
问答题生长发育长期变化的原因是什么？对人类有何影响？
问答题简述碱金属氧化物和碱土金属氧化物对釉的黏度和表面张力的影响？
问答题按缺陷在空间分布的情况，对晶体的缺陷进行分类，并举例说明掺杂对材料结构和性能的影响。
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
问答题木密度的大小对苗木生长有什么影响？确定苗木密度的依据是什么？
问答题热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么？
问答题阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？